Número do Produto do Fabricante:
TSM4N60ECP ROG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4N60ECP ROG-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
7 Pcs Novo Original Em Estoque
12892425
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TSM4N60ECP ROG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
545 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86.2W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TSM4N60
Informação Adicional
Outros nomes
TSM4N60ECP ROGDKR-DG
TSM4N60ECPROGDKR
TSM4N60ECP ROGTR-DG
TSM4N60ECP ROGCT-DG
TSM4N60ECP ROGTR
TSM4N60ECP ROGCT
TSM4N60ECP ROGDKR
TSM4N60ECPROGTR
TSM4N60ECPROGCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD3N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3586
NÚMERO DA PEÇA
STD3N62K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.36
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
TSM4NB60CP ROG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9
NÚMERO DA PEÇA
TSM4NB60CP ROG-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.34
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTY2N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTY2N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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